Образовательный портал
Вход
Личный кабинет

Бакеренков Александр Сергеевич

Дата рождения: 
16.02.1987
Место рождения: 
гор. Климовск Московской области
Ученая степень: 
кандидат технических наук
Должность: 
доцент
Звание: 
нет
Область профессиональных интересов: 
Радиационная стойкость радиоэлектронной аппаратуры космического назначения
Область деятельности: 
Исследование дозовых радиационных эффектов в прецизионных аналоговых интегральных микросхемах
Образование: 
В 2010 году окончил Национальный Исследовательский Ядерный Университет "МИФИ" по специальности "Электроника и автоматика физических установок", получив квалификацию "Инженер-физик". В 2013 году получил степень кандидата технических наук по специальности "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника, приборы на квантовых эффектах"
Основные этапы профессиональной, научной и организационной деятельности: 
В 2009 принят на должность инженера кафедры Микро- и наноэлектроники Национального Исследовательского Ядерного Университета "МИФИ". В 2010 году защитил диплом по специальности "Электроника и автоматика физических установок". В 2012 избран на должность ассистента кафедры Микро- и наноэлектроники Национального Исследовательского Ядерного Университета "МИФИ" по конкурсу. В 2013 году защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника, приборы на квантовых эффектах". В 2015 году избран на должность доцента кафедры Микро- и наноэлектроники Национального Исследовательского Ядерного Университета "МИФИ". В 2017 году переведен в отделение нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике офиса образовательных программ Национального Исследовательского Ядерного Университета "МИФИ" на должность доцента в связи с избранием по конкурсу. С 2014 по 2017 год исполнял обязанности заместителя декана факультета Автоматики и электроники Национального Исследовательского Ядерного Университета "МИФИ". С 2018 года - исполняющий обязанности заместителя начальника учебного отдела института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике Национального Исследовательского Ядерного Университета "МИФИ". С 2012 руководитель занятий по летней практике и проектной деятельности школьников. С 2017 года ответственный за профориентацию, летнюю практику и проектную деятельность школьников на базе института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотнонике Национального Исследовательского Ядерного Университета "МИФИ". Руководитель ряда проектов, представленных на ежегодном конкурсе научных работ школьников "Юниор", в 2013 г. (II место), в 2014 г., 2017 г., 2018 г. (диплом III степени), 2019 г. (диплом II степени).
Профессиональные и научные достижения: награды, гранты, победы в профессиональных конкурсах и др.: 
1. Благодарность за руководство исследовательской работой призера XXI Всероссийских юношеских Чтений им. В.И. Вернадского "Схемотехнический метод компенсации деградации радиационно-чувствительных параметров электронной аппаратуры космического назначения" (Регистрационный номер 141294), Секция "Физика (Physics)". Москва 2014. 2. Сертификат научного руководителя финалистов Московского городского конкурса научно-исследовательских и проектных работ обучающихся, представивших в составе группы работу по теме "Повышение отказоустойчивости радиоэлектронной аппаратуры космического назначения методом схемотехнической компенсации". Выдан Государственным бюджетным образовательным учреждением города Москвы "Центром Педагогического Мастерства" Департамента образования города Москвы. Рег. №521. 26 апреля 2014. 3. Благодарность Межвузовского центра воспитания и развития талантливой молодежи в области естественно-математических наук "Физтех-центр" за подготовку школьников для участия в конкурсе "Старт в науку" в 2014 г. и прогрессивное отношение к довузовскому дополнительному образованию молодежи. 22 февраля 2014. 4. Диплом научного руководителя победителя Окружного этапа городского научно-технического творчества молодежи (НТТМ-2014) "Образование. Наука. Производство" (I место). Номинация "Радиосвязь". Проект "Повышение отказоустойчивости радиоэлектронных приборов космического назначения методом схемотехнической компенсации". Приказ ЮОУО г. Москвы №377 от 18 февраля 2014. 5. Диплом победителя конкурса "Лучший преподаватель НИЯУ МИФИ" по итогам 2014 г.
Опыт участия в образовательных проектах федерального и регионального уровней: 
Разработка и апробация экзаменационных заданий для предпрофессионального экзамена по технологическому направлению инженерной подготовки в рамках образовательного проекта департамента образования г. Москвы "Инженерный класс". С 2017 председатель экзаменационной комиссии по технологическому направлению инженерной подготовки предпрофессионального экзамена в Национальном Исследовательском Ядерном Университете "МИФИ"
Публикации
Монографии: 
Б.И. Подлепецкий, А.С. Бакеренков, М.Ю. Никифорова, Сборник лабораторных работ по курсу "датчики на основе микро- и нанотехнологий", Издательство: Национальный Исследовательский Ядерный Университет «МИФИ», Москва 2017
Учебные пособия для школьников: 
нет
Статьи в научных журналах: 

1) Pershenkov V., Bakerenkov A., Telets V., Belyakov V., Shurenkov, V., Felitsyn, V., Rodin, A., Joint model of dose rate radiation effects in bipolar devices, Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM 2017 Vol. 2017-October, pp. 171-173, 2017
2) Bakerenkov A.S., Pershenkov V.S., Felitsyn V.A., Rodin A.S., Telets V.A., Belyakov V.V., Shurenkov V.V., Miroshnichenko A.G., Glukhov N.S., Effect of low-temperature irradiation on ELDRS in bipolar transistors, Proceedings of the European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, RADECS, 2017 Vol. 2016-September, pp. 1-4, 2017
3) Bakerenkov A.S., Felitsyn V.A., Orlov V.V., Rodin A.S., Zebrev G.I., Total dose radiation response of n-channel enhancement mode field effect transistors over wide operation temperature range, IEEE Radiation Effects Data Workshop, 2017 Vol. 2017-July, 2017
4) Bakerenkov A.S., Rodin A.S., Pershenkov V.S., Felitsyn V.A., Bursian Y.D., The impact of annealing on the following radiation degradation rate of bipolar devices, IEEE Radiation Effects Data Workshop, 2017 Vol. 2017-July, 2017
5) Felitsyn V., Podlepetsky B., Bakerenkov A., Sukhoroslova Y., Temperature influence on the TID effects in RadFETs, Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM, 2017 Vol. 2017-October pp. 167-169, 2017
6) Pershenkov V.S., Petrov A.S., Bakerenkov A.S., Ulimov V.N., Felytsyn V.A., Rodin A.S., Belyakov V.V., Telets V.A., Shurenkov V.V., True dose rate physical mechanism of ELDRS effect in bipolar devices, Microelectronics Reliability, Vol. 76-77, pp. 703-707, 2017
7) Bakerenkov A.S., Chubunov P.A., Anashin V.S., Rodin A.S., Felitsyn V.A., Multifunctional equipment and test results for total ionizing dose testing of analog integrated circuits, IEEE Radiation Effects Data Workshop, 2017
8) Bakerenkov A.S., Shaltaeva Y. R., Rodin A.S., Glukhov N.S., Felitsyn V.A., Methods and results of radiation tests of a digital-to-analog converter LTC1257, Breakthrough directions of Scientific Research in NRNU MEPhI: Development Perspectives in the Framework of the Strategic
9)Bakerenkov A.S., Glukhov N.S., Shaltaeva Yu.R., Rodin A.S., Felitsyn V.A., The technique for I-V characteristic measurements of MOSFETs from output stage of MOS ICs, Breakthrough directions of Scientific Research in NRNU MEPhI: Development Perspectives in the Framework of the Strategic
10)Bakerenkov A.S., Shaltayeva Yu.R., Rodin A.S., Glukhov N.S., Felitsyn V.A. The Methodology and Results of Radiation Tests of ADS 8320 Analog-to-Digital Converter, Breakthrough directions of Scientific Research in NRNU MEPhI: Development Perspectives in the Framework of the Strategic pages 82–84 (ожидается индексация в Scopus)
11) Bakerenkov A.S., Shaltaeva Y. R., Rodin A.S., Glukhov N.S., Felitsyn V.A., Methods and results of radiation tests of a digital-to-analog converter LTC1257, Breakthrough directions of Scientific Research in NRNU MEPhI: Development Perspectives in the Framework of the Strategic pages 79–81(ожидается индексация в Scopus)
12)Bakerenkov A.S., Glukhov N.S., Shaltaeva Yu.R., Rodin A.S., Felitsyn V.A. The technique for I-V characteristic measurements of MOSFETs from output stage of MOS ICs Breakthrough directions of Scientific Research in NRNU MEPhI: Development Perspectives in the Framework of the Strategic pages 74–78 (ожидается индексация в Scopus)
13) A S Bakerenkov, Y R Shaltaeva, A S Rodin, N S Glukhov, V A Felitsyn, A I Zhukov, The Application of Schematic Compensation Technique for Increasing of Radioelectronic Devices Reliability Breakthrough directions of Scientific Research in NRNU MEPhI: Development Perspectives in the Framework of the Strategic pages 97–99 (ожидается индексация в Scopus)
14) A S Bakerenkov, Y R Shaltaeva, A S Rodin, N S Glukhov, V A Felitsyn, Schematic Method of Estimation and Increase of Radiation Hardness of the Onboard Radio-electronic Equipment for Space Applications, Breakthrough directions of Scientific Research in NRNU MEPhI: Development Perspectives in the Framework of the Strategic pages 103–105 (ожидается индексация в Scopus)
15) A V Popova, V M Kisel, A Yu Malyavina, A S Bakerenkov, Yu R Shaltaeva, Reference Voltage Supply Source with Expanded Operating Temperature Range, Breakthrough directions of scientific research at MEPhI: Development prospects within the Strategic Academic Units, pages 213–215 (ожидается индексация в Scopus)
16) A. S. Bakerenkov, A. E. Koziukov, A. S. Rodin, V. A. Felitsyn, V. S. Pershenkov, N. S. Glukhov, V. V. Belyakov, Characterization of Widely Used Bipolar Transistors in Wide Temperature Range Before and after Ionizing Radiation Impact, IEEE Radiation Effects Data Workshop, 2018 [in printed]
17) A. S. Bakerenkov, V. A. Felitsyn, A. S. Rodin, V. S. Pershenkov, A. E. Koziukov, B. I. Podlepetsky, V. V. Belyakov, E. V. Petkovich, TID Response of AD590 Temperature Sensor in Wide Operation Temperature Range, IEEE Radiation Effects Data Workshop, 2018 [in printed]
18) A. S. Bakerenkov, S. B. Shmakov, V. A. Felitsyn, A. S. Rodin, A. G. Petrov, D. V. Boychenko, V. S. Pershenkov, V. A. Telets, TID Effects in One Time Programmable Read Only Memory at Different Dose Rates, IEEE Radiation Effects Data Workshop, 2018 [in printed]
19) B.I. Podlepetsky, A.S. Bakerenkov, Y.V. Sukhoroslova, Radiation Sensitivity Modeling Technique of Sensors’ Mis-Transistor Elements, Automation and Remote Control Volume 79, Issue 1, 1 January 2018, Pages 180-189
20) A.S. Bakerenkov, V.S. Pershenkov, V.A. Felitsyn, A.S. Rodin, V.A. Telets , V.V. Belyakov, V.V. Shurenkov, ELDRS Susceptibility of Bipolar Transistors and Integrated Circuits during Low-Temperature Irradiation, IEEE Transactions on Nuclear Science Volume 64, Issue 8, August 2017, Pages 2227-2234
21) A.S. Bakerenkov, A.S. Rodin, V.S. Pershenkov, V.A. Felitsyn, Y.D. Bursian, The impact of annealing on the following radiation degradation rate of bipolar devices, IEEE Radiation Effects Data Workshop
Volume 2017-July, 20 November 2017, Номер статьи 8115476

1) Бакеренков А.С., Подлепецкий Б.И., Фелицын В.А., Першенков В.С., Родин А.С., Цифровой датчик поглощенной дозы на основе коммерческого МОП-транзистора, Датчики и системы, № 2 (222), С. 31-36, 2018
2) Подлепецкий Б.И., Бакеренков А.С., Фелицын В.А., Родин А.С., МДП-транзистор как первичный преобразователь дозы ионизирующего излучения, Датчики и системы, № 2 (222), С. 36-42, 2018
3) Бакеренков А.С., Родин А.С., Першенков В.С., Фелицын В.А., Влияние отжига на характеристики биполярных транзисторов как чувствительных элементов датчиков поглощенной дозы, Датчики и системы, № 2 (222), С. 43-47, 2018
4) А.С. Родин, А.С. Бакеренков, В.С. Першенков, В.А. Фелицын, А.Г. Мирошниченко, А.П. Слюсарев. Влияние низкотемпературного облучения на эффект низкой интенсивности в биполярных приборах, Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, научно-технический сборник, выпуск 1, Москва, стр.54-63, 2017

1) А.С. Бакеренков, С.Б. Шмаков, В.А. Фелицын, А.С. Родин, А.Г. Петров, Д.В. Бойченко, В.С. Першенков, В.А. Телец. Исследование дозовых радиационных эффектов в ПЗУ при различных интенсивностях. Тезисы Всероссийской конференции ""Стойкость-2018"
2) А.С. Бакеренков, В.А. Фелицын, А.С. Родин, В.С. Першенков, Б.И. Подлепецкий, В.В. Беляков, Е.В. Петкович. Исследование дозовых радиационных эффектов в датчике температуры AD590. Тезисы Всероссийской конференции ""Стойкость-2018"
3) В.М. Кисель, А.Ю. Малявина, А.С. Бакеренков, В.А. Фелицын, А.С. Родин, В.С. Першенков. Исследование радиационной деградации источника опорного напряжения LM4050. Тезисы Всероссийской конференции ""Стойкость-2018"
4) А.С. Бакеренков, А.С. Родин, В.А. Фелицын, В.С. Першенков, Н.С. Глухов, В.В. Беляков. Исследование вольтамперных характеристик биполярных транзисторов общего
назначения в широком диапазоне температур до и после радиационного воздействия. Тезисы Всероссийской конференции ""Стойкость-2018"
5) В.С. Першенков, А.С. Бакеренков, А.С. Родин, В.А. Фелицын, Ю.Д. Бурсиан. Влияние отжига на темп дальнейшей радиационной деградации биполярных приборов. Тезисы Всероссийской конференции ""Стойкость-2017"
6) А. С. Бакеренков, В. А. Фелицын, Г. И. Зебрев, В. В. Орлов, А. С. Родин, Ю.Д. Бурсиан. Радиационная деградация n-канального МОП-транзистора в широком рабочем диапазоне температур. Тезисы Всероссийской конференции ""Стойкость-2017"

Телефон: 
89104186441