Образовательный портал
Вход
Личный кабинет

Фелицын Владислав Александрович

Дата рождения: 
03.03.1992
Место рождения: 
г. Электросталь
Ученая степень: 
нет
Должность: 
Аспирант
Звание: 
нет
Область профессиональных интересов: 
Электроника, микроэлектроника, робототехника, программирование
Область деятельности: 
Физика микроэлектронных структур, разработка и программирование цифровых устройств
Образование: 
В 2016 году окончил НИЯУ МИФИ по специальности «Электроника и автоматика физических установок», получив квалификацию «инженер-физик». Диплом 107704 №0031649
Основные этапы профессиональной, научной и организационной деятельности: 
С 2013 г. инженер кафедры №27 "Микро- и наноэлектроника", НИЯУ МИФИ. Обучение в аспирантуре с 2016 г. по направлению 09.06.01 "Информатика и вычислительная техника", специальности 05.13.05 "Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления" на кафедре №27 "Микро- и наноэлектроника", НИЯУ МИФИ.
Профессиональные и научные достижения: награды, гранты, победы в профессиональных конкурсах и др.: 
1. Государственное задание по теме "Оценка влияния радиационно-индуцированного отжига заряда в окисле на долговременную радиационную деградацию интегральных микросхем при воздействии излучений космического пространства" в 2014-2016 г.г. (грант) 2. Патент на изобретение №2610052 "Установка термостабилизации объекта испытаний". Дата государственной регистрации в Государственном реестре изобретений РФ 07.02.2017г.
Опыт участия в образовательных проектах федерального и регионального уровней: 
нет
Публикации
Монографии: 
нет
Учебные пособия для школьников: 
нет
Статьи в научных журналах: 

1. Bakerenkov A.S., Pershenkov V.S., Felitsyn V.A., Rodin A.S., Telets V.A., Belyakov V.V., Shurenkov V.V., ELDRS Susceptibility of Bipolar Transistors and Integrated Circuits during Low-Temperature Irradiation // IEEE Transactions on Nuclear Science, 2017 Vol. 64, No. 8, Q1 pp. 2227-2234, DOI: 10.1109/TNS.2017.2677261
2. Bakerenkov, A.S., Pershenkov, V.S., Felitsyn, V.A., Rodin, A.S., Telets, V.A., Belyakov, V.V., Shurenkov, V.V., Miroshnichenko, A.G., Glukhov, N.S., Effect of low-temperature irradiation on ELDRS in bipolar transistors // Proceedings of the European Conference on Radiation and its Effects on Components and Systems, RADECS, 2017 Vol. 2016-September pp. 1-4, DOI: 10.1109/RADECS.2016.8093103
3. Bakerenkov, A.S., Rodin, A.S., Pershenkov, V.S., Felitsyn, V.A., Bursian, Y.D., The impact of annealing on the following radiation degradation rate of bipolar devices // IEEE Radiation Effects Data Workshop, 2017 Vol. 2017-July, DOI: 10.1109/NSREC.2017.8115476
4. Pershenkov, V., Bakerenkov, A., Telets, V., Belyakov, V., Shurenkov, V., Felitsyn, V., Rodin, A., Joint model of dose rate radiation effects in bipolar devices // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM, 2017 Vol. 2017-October pp. 171-173, DOI: 10.1109/MIEL.2017.8190095
5. Pershenkov, V.S., Petrov, A.S., Bakerenkov, A.S., Ulimov, V.N., Felytsyn, V.A., Rodin, A.S., Belyakov, V.V., Telets, V.A., Shurenkov, V.V., True dose rate physical mechanism of ELDRS effect in bipolar devices // Microelectronics Reliability, 2017 Vol. 76-77, Q1 pp. 703-707, DOI: 10.1016/j.microrel.2017.07.025
6. Pershenkov V.S., Bakerenkov A.S., Felitsyn V.A., Rodin A.S., Telets V.A., Belyakov V.V., ELDRS in SiGe transistors for room and low-temperature irradiation // Microelectronics Reliability, 2016 Vol. 63, Q1 pp. 56-59,
DOI: 10.1016/j.microrel.2016.05.010
7. Bakerenkov A.S. Experimental equipment for extraction of ELDRS conversion model parameters and its application for estimation of radiation effects in bipolar devices. // IFMBE Proceedings. Vol. 55 (2016), pp. 520-523, DOI: 10.1007/978-981-287-736-9_122.
8. Bakerenkov A.S. Experimental equipment for extraction of ELDRS conversion model parameters and its application for estimation of radiation effects in bipolar devices. // IFMBE Proceedings. Vol. 55 (2016), pp. 520-523, DOI: 10.1007/978-981-287-736-9_122.
9. Bakerenkov, A.S., Belyakov, V.V., Kozyukov, A.E., Pershenkov, V.S., Solomatin, A.V., Shurenkov, V.V., Temperature control system for the study of single event effects in integrated circuits using a cyclotron accelerator // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 2015 Vol. 773, Q1 pp. 33-38, DOI: 10.1016/j.nima.2014.11.034
10. Pershenkov, V.S., Bakerenkov, A.S., Yastrebov, A.T., Solomatin, A.V., Belyakov, V.V., Shurenkov, V.V., Effect of radiation induced charge neutralization on ELDRS // Advanced Materials Research, 2014 Vol. 1016, Q3 pp. 478-483, DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMR.1016.478
11. Pershenkov V.S., Bakerenkov A.S., Yastrebov A.T., et. al. Using low temperature irradiation for ELDRS estimation. // Advanced Materials Research. 2014. Vol. 1016, Q3 pp. 484-489, DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMR.1016.484
12. Bakerenkov, A.S., Pershenkov, V.S., Solomatin, A.V., Belyakov, V.V., Shurenkov, V.V., Radiation degradation modeling of bipolar operational amplifier input offset voltage in LTSpice IV // Applied Mechanics and Materials, 2014 Vol. 565, Q3 pp. 138-141, DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.565.138
13. Pershenkov, V.S., Bakerenkov, A.S., Solomatin, A.V., Belyakov, V.V., Shurenkov, V.V., Mechanism of the saturation of the radiation induced interface trap buildup // Applied Mechanics and Materials, 2014 Vol. 565, Q3 pp. 142-146, DOI:10.4028/www.scientific.net/AMM.565.142
14. Pershenkov, V.S., Ullán, M., Wilder, M., Spieler, H., Spencer, E., Rescia, S., Newcomer, F.M., Martinez-Mckinney, F., Kononenko, W., Grillo, A.A., Díez, S., Mechanism of anomalous recovery in advanced SiGe bipolar transistors after low dose rate irradiation for very high total doses // Microelectronics Reliability, 2014 Q1, DOI: 10.1016/j.microrel.2014.04.009
15. Bakerenkov, A.S., Belyakov, V.V., Pershenkov, V.S., Romanenko, A.A., Savchenkov, D.V., Shurenkov, V.V., Extracting the fitting parameters for the conversion model of enhanced low dose rate sensitivity in bipolar devices // Russian Microelectronics, 2013 Vol. 42, No. 1, Q3 pp. 48-52, DOI: 10.1134/S1063739712040026
16. Бакеренков А.С., Подлепецкий Б.И., Фелицын В.А., Першенков В.С., Родин А.С., Цифровой датчик поглощенной дозы на основе коммерческого МОП-транзистора, Датчики и системы, № 2 (222), С. 31-36, 2018
17. Подлепецкий Б.И., Бакеренков А.С., Фелицын В.А., Родин А.С., МДП-транзистор как первичный преобразователь дозы ионизирующего излучения, Датчики и системы, № 2 (222), С. 36-42, 2018
18. Бакеренков А.С., Родин А.С., Першенков В.С., Фелицын В.А., Влияние отжига на характеристики биполярных транзисторов как чувствительных элементов датчиков поглощенной дозы, Датчики и системы, № 2 (222), С. 43-47, 2018
19. А.С. Родин, А.С. Бакеренков, В.С. Першенков, В.А. Фелицын, А.Г. Мирошниченко, А.П. Слюсарев. Влияние низкотемпературного облучения на эффект низкой интенсивности в биполярных приборах, Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, научно-технический сборник, выпуск 1, Москва, стр.54-63, 2017
20. Фелицын В.А., Бакеренков А.С. Родин А.С., Першенков В.С., Мирошниченко А.Г., Исследование скорости радиационной деградации кремниевых и SiGe биполярных транзисторов, Датчики и системы, 2016, №4, стр. 70-72.
21. Родин А.С., Бакеренков А.С., Фелицын В.А., Першенков В.С., Мирошниченко А.Г., Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости отражателей тока операционных усилителей, Датчики и системы, 2016, №4, стр. 73-76.

Телефон: 
+79296540972