Образовательный портал
Вход
Личный кабинет

Байкова Ольга Андреевна

Дата рождения: 
28.07.1988
Место рождения: 
Калуга
Ученая степень: 
кандидат физико-математических наук
Должность: 
ассистент
Звание: 
нет
Область профессиональных интересов: 
Преподавание дисциплин физико-математического блока. Научно-исследовательская работа в области математического моделирования мощных вакуумных СВЧ-приборов.
Область деятельности: 
Преподавание в НИЯУ МИФИ. Научно-исследовательская работа.
Образование: 
НИЯУ МИФИ
Основные этапы профессиональной, научной и организационной деятельности: 
Поступление в НИЯУ МИФИ в 2005 году. Окончание НИЯУ МИФИ и поступление в аспирантуру (2010). Окончание аспирантуры и защита диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (2013). с 2013 г. по наст. время работа в НИЯУ МИФИ на должности ассистента.
Профессиональные и научные достижения: награды, гранты, победы в профессиональных конкурсах и др.: 
-Диплом конкурса молодежных проектов в рамках XIV Международной телекоммуникационной конференции «Молодежь и наука», МИФИ, 2011 г. -Победитель в конкурсе «Молодой преподаватель НИЯУ МИФИ» 2011, 2012. -Победитель в конкурсе ФЦП «Кадры», мероприятие 1.3.2 «целевые аспиранты» (протокол №1/47/3 от 31.08.2012) -Победитель конкурса на получение Стипендии Президента РФ (СП-2012)
Опыт участия в образовательных проектах федерального и регионального уровней: 
Создание курса для Образовательного портала НИЯУ МИФИ (http://online.mephi.ru/course/view.php?id=211)
Публикации
Монографии: 
Электронный курс на портале НИЯУ МИФИ "Работа в средах MathCad и KlypWin"
Учебные пособия для школьников: 
нет
Статьи в научных журналах: 

В журналах, входящих в Scopus или Web of Science
1. Baikov A.Yu., Baikova O.A. GLOBAL SCALING PRINCIPLE FOR SIMULATION OF POWERFUL KLYSTRONS WITH HIGH EFFICIENCY // В сборнике: 2016 International Conference on Actual Problems of Electron Devices Engineering, APEDE 2016 Conference Proceedings. 2017. С.7878840

2. Baikov A.Yu., Baikova O.A. THE POSSIBILITY OF ACHIEVING HIGH VALUES OF EFFICIENCY WITH SMALL BUNCHING LENGTH IN THE TWO-FREQUENCY KLYSTRONS //В сборнике: 2016 International Conference on Actual Problems of Electron Devices Engineering, APEDE 2016 Conference Proceedings. 2017. С. 7878841.

3. Baikova O.A. COM-MODE OF BUNCHING AS A MEANS TO EFFICIENCY LIMIT VALUES OF KLYSTRONS
//В сборнике: 2016 International Conference on Actual Problems of Electron Devices Engineering, APEDE 2016 Conference Proceedings. 2017. С. 7878843.

4. Baikov A.Yu., Baikova O.A. S //В сборнике: 2018 International Conference on Actual Problems of Electron Devices Engineering, APEDE 2018 Conference Proceedings. (в печати).

5. Baikov A.Yu., Baikova O.A. S //В сборнике: 2018 International Conference on Actual Problems of Electron Devices Engineering, APEDE 2018 Conference Proceedings. (в печати).

В журналах, не входящих в Scopus или Web of Science, но входящих в список ВАК
1. Байков А.Ю., Байкова О.А. МОДЕЛИРОВАНИЕ СВЕРХМОЩНЫХ ДВУХЧАСТОТНЫХ КЛИСТРОНОВ L-ДИАПАЗОНА С КПД 90% //Вестник Национального исследовательского ядерного университета МИФИ. 2017. Т. 6. №1. С. 83-89. .

2. Байков А.Ю., Байкова О.А. МОДЕЛИРОВАНИЕ КЛИСТРОНА С МОЩНОСТЬЮ ПУЧКА 8.5 МВТ И С КПД ОКОЛО 90% //Вестник Национального исследовательского ядерного университета МИФИ. 2017. Т. 6. № 2. С. 155-160.

3. Байков А.Ю., Байкова О.А., Перевозчикова О.А. Модель распределения СВЧ поля в бессеточном зазоре резонатора // Журнал радиоэлектроники. 2016. № 3. С. 6
В изданиях, не входящих в Scopus/WoS и не входящих в список ВАК
1. Байков А.Ю., Байкова О.А. О ВОЗМОЖНОСТИ ДОСТИИЖЕНИЯ ПРЕДЕЛЬНЫХ ЗНАЧЕНИЙ КПД КЛИСТРОНОВ НА ОСНОВЕ COM-, COM2- И CSM-ГРУППИРОВАНИЯ. //Проблемы СВЧ электроники. 2017. Т. 1. № 3. С. 14-15.

РИД (патенты и иные свидетельства интеллектуальной собственности)
Свидетельство №2017662259 о государственной регистрации компьютерной программы CC-KlyP от 01.11.2017

Телефон: 
89169612364